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PBSS5240T,215 +BOM

PNP low V transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4240T

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

PBSS5240T,215
Scheda dati:

PBSS5240T,215 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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PBSS5240T,215 Descrizione generale

PNP low V transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4240T

Caratteristiche principali

Improved thermal shock resistance
Reduced gate-to-source leakage current
Increased power handling capabilities

Applicazione

Solar panel regulators
Automotive power management
Portable electronics

Specifiche

Source Content uid	PBSS5240T,215	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	2 A
Collector-Emitter Voltage-Max	40 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	100	JEDEC-95 Code	TO-236AB
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	PNP
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	200 MHz	Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	2 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 200mA, 2A	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	210 @ 1A, 2V	Power - Max	480 mW
Frequency - Transition	200MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	PBSS5240

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