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PBSM5240PF +BOM

PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET 6-Pin HUSON EP

Produttore:

Nexperia Semiconductor (NXP)
ProduttorePart #:

PBSM5240PF
Scheda dati:

PBSM5240PF Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
EDA/CAD Modelli:

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PBSM5240PF Descrizione generale

Combination of PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Caratteristiche principali

Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High energy efficiency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Nexperia Semiconductor (NXP) Stock originale

Applicazione

Loadswitch
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)

Specifiche

Product Category:	MOSFET	Mounting Style:	SMD/SMT
Product Type:	MOSFET	Subcategory:	MOSFETs

Politiche di servizio e altro

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..