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PBSS4160DPN,115 +BOM

NPN/PNP low V Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

Produttore:

Nexperia USA Inc.
ProduttorePart #:

PBSS4160DPN,115
Scheda dati:

PBSS4160DPN,115 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
EDA/CAD Modelli:

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PBSS4160DPN,115 Descrizione generale

NPN/PNP low V Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

Caratteristiche principali

Robust operation under various load conditions
Good temperature compensation
High speed and high accuracy with low noise
Compact size and light weight

Applicazione

Fun in the sun
Beach days ahead
Sand between toes

Specifiche

Transistor Type	NPN, PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	870mA, 770mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Power - Max	420mW	Frequency - Transition	220MHz, 185MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q100	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	PBSS4160

Politiche di servizio e altro

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