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NGB8206ANTF4G +BOM

IGBT 390 V 20 A 150 W Surface Mount D2PAK

NGB8206ANTF4G Descrizione generale

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Littelfuse Inc inventario

Caratteristiche principali

  • Gate-Emitter ESD Protection
  • Temperature Compensated Gate-Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
  • Integrated ESD Diode Protection
  • Low Threshold Voltage for Interfacing Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
  • Low Saturation Voltage
  • High Pulsed Current Capability
  • Optional Gate Resistor (R
  • G
  • )and Gate-Emitter Resistor (R
  • GE
  • )

Applicazione

  • Ignition Systems
  • Direct Fuel Injection
  • Coil-on-Plug
  • Driver-on-Coil
  • End Products:
  • Automotive

Specifiche

feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-cecc-qualified
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified Yes feature-aec-qualified-number
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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