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IGBT 1200V 25A FS2 bare die
BGAProduttore:
ProduttorePart #:
NGTD23T120F2WP
Scheda dati:
MSL Temp (°C):
0
Container Type:
WJAR
Technology:
Si
Factory Pack Quantity:
1
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This cutting-edge NGTD23T120F2WP product boasts an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) design renowned for its robustness and cost-effectiveness. Engineered with a sophisticated Field Stop II Trench construction, it stands out for its superior performance, especially in high-demand switching applications. With a focus on delivering exceptional results, this IGBT offers a combination of low on-state voltage and minimal switching loss, setting a new standard in efficiency and reliability
Status | Lifetime | Case Outline | - |
MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | WJAR |
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | IGBTs |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $5,421 | $5,42 |
200+ | $2,099 | $419,80 |
500+ | $2,024 | $1.012,00 |
1000+ | $1,989 | $1.989,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.