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NGTD20T120F2WP +BOM

IGBT 1200V 20A FS2 bare die

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NGTD20T120F2WP
Scheda dati:

NGTD20T120F2WP Scheda dati (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelli:

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NGTD20T120F2WP Descrizione generale

Featuring a robust construction and cost-effective design, the NGTD20T120F2WP IGBT is a standout choice for engineers looking to enhance the performance of their switching applications. This transistor's Field Stop II Trench technology sets it apart from traditional IGBTs, providing improved performance and reliability in a variety of demanding environments. Whether you're working with high-power electronics or precision machinery, this IGBT delivers the low on-state voltage and minimal switching loss needed to keep your operations running smoothly

Caratteristiche principali

High Temperature Operation Possible
Low Current Consumption Ensured
Surge Protection up to 3kV

Applicazione

Renewable Resources
Mobile Power Solution
Remote Off-Grid Systems

Specifiche

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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