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NGTD21T65F2SWK +BOM

IGBT 650V 45A FS2 bare die

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NGTD21T65F2SWK
Scheda dati:

NGTD21T65F2SWK Scheda dati (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
Technology:

Si
Factory Pack Quantity:

1

NGTD21T65F2SWK Descrizione generale

IV. Designed with a robust Field Stop II Trench construction, the NGTD21T65F2SWK Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is engineered for superior performance in demanding switching applications. With its low on-state voltage and minimal switching loss, this IGBT offers efficient and reliable operation, making it an ideal choice for industrial and electronic systems that require high functionality

Caratteristiche principali

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
TJmax = 175°C
Optimized for High Speed Switching
5 µs Short Circuit Capability
These are Pb−Free Devices

Applicazione

Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
Welding

Specifiche

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	IGBTs

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