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Vedi Specifiche Tecniche

IRLU8729PBF +BOM

Power MOSFET IRLU8729PBF

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRLU8729PBF
Scheda dati:

IRLU8729PBF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRLU8729PBF Descrizione generale

The IRLU8729PBF is a high-performance semiconductor device suitable for demanding industrial and automotive applications. Its low on-resistance allows for efficient current flow, reducing power dissipation and improving overall system efficiency. The TO-251AA package provides excellent thermal performance, ensuring reliable operation in high-temperature environments. With its ROHS COMPLIANT construction, the IRLU8729PBF meets strict environmental standards, making it an ideal choice for eco-friendly designs. The IPAK-3 configuration simplifies installation and maintenance, making the IRLU8729PBF a top choice for engineers seeking reliable power switching solutions

Caratteristiche principali

Compact size and low profile
Wide operating temperature range
Excellent thermal reliability
Robust electrical performance

Applicazione

Advanced power management
Flexible circuit element
Efficient energy conversion

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	58 A	Rds On - Drain-Source Resistance	11.9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	10 nC
Pd - Power Dissipation	55 W	Configuration	Single
Height	6.22 mm	Length	6.73 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	75
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	2.38 mm	Part # Aliases	SP001577142
Unit Weight	0.011993 oz

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