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IRF9Z10PBF +BOM

Three-pin transistor with power tab for enhanced thermal performance

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

IRF9Z10PBF
Scheda dati:

IRF9Z10PBF Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRF9Z10PBF Descrizione generale

P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Elevated power density
Fully commutated switching
Low input current
High efficiency operation

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	6.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	500 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	12 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	43 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IRF9Z	Configuration	Single
Fall Time	31 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	63 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	11 ns
Part # Aliases	IRF9Z10PBF-BE3	Unit Weight	0.068784 oz

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