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IRF7314TRPBF +BOM
Surface-mount Power MOSFET with P-channel Conductivity and Tape-and-Reel Packaging
SOP-8-
Produttore:
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ProduttorePart #:
IRF7314TRPBF
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Scheda dati:
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Series:
HEXFET®
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Configuration:
2 P-Channel (Dual)
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FET Feature:
Logic Level Gate
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 4836 PZ
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IRF7314TRPBF Information
Descrizione generale
In power management circuits where speed and precision are paramount, the IRF7314TRPBF emerges as a reliable solution. This dual N-channel MOSFET delivers on multiple fronts, offering independent control of two power channels within a single, user-friendly package. Its low gate charge of 8.5nC enables swift switching speeds, reducing overall energy loss in the process. Whether tasked with fine-tuning voltage levels or conserving power during operation, this versatile component excels in meeting diverse application needs with its superior performance characteristics
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays | Series | HEXFET® |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 15V | Power - Max | 2W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IRF731 | RHoS | yes |
PBFree | yes | HalogenFree | no |
Product Category | MOSFET | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 5.3 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 98 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV | Qg - Gate Charge | 19 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 2 W | Channel Mode | Enhancement |
Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 4000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 P-Channel |
Width | 3.9 mm | Unit Weight | 0.019048 oz |
Package/Case | SOP-8 |
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