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IRF7314TRPBF +BOM

Surface-mount Power MOSFET with P-channel Conductivity and Tape-and-Reel Packaging

IRF7314TRPBF Information

Descrizione generale

In power management circuits where speed and precision are paramount, the IRF7314TRPBF emerges as a reliable solution. This dual N-channel MOSFET delivers on multiple fronts, offering independent control of two power channels within a single, user-friendly package. Its low gate charge of 8.5nC enables swift switching speeds, reducing overall energy loss in the process. Whether tasked with fine-tuning voltage levels or conserving power during operation, this versatile component excels in meeting diverse application needs with its superior performance characteristics

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays Series HEXFET®
Technology MOSFET (Metal Oxide) Configuration 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number IRF731 RHoS yes
PBFree yes HalogenFree no
Product Category MOSFET Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V Id - Continuous Drain Current 5.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance 98 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 700 mV Qg - Gate Charge 19 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2 W Channel Mode Enhancement
Height 1.75 mm Length 4.9 mm
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 4000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 P-Channel
Width 3.9 mm Unit Weight 0.019048 oz
Package/Case SOP-8

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