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IRF7314TRPBF +BOM

Surface-mount Power MOSFET with P-channel Conductivity and Tape-and-Reel Packaging

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IRF7314TRPBF
Scheda dati:

IRF7314TRPBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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IRF7314TRPBF Descrizione generale

In power management circuits where speed and precision are paramount, the IRF7314TRPBF emerges as a reliable solution. This dual N-channel MOSFET delivers on multiple fronts, offering independent control of two power channels within a single, user-friendly package. Its low gate charge of 8.5nC enables swift switching speeds, reducing overall energy loss in the process. Whether tasked with fine-tuning voltage levels or conserving power during operation, this versatile component excels in meeting diverse application needs with its superior performance characteristics

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays	Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.3A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 15V	Power - Max	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IRF731	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	5.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance	98 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	700 mV	Qg - Gate Charge	19 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2 W	Channel Mode	Enhancement
Height	1.75 mm	Length	4.9 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.019048 oz

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