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IRFBF30PBF +BOM

00V 3.6A 3.7Ω@2.2A,10V 125W 4V@250uA null TO-220AB-3 MOSFETs

Produttore:

Vishay Intertechnology, Inc
ProduttorePart #:

IRFBF30PBF
Scheda dati:

IRFBF30PBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.6A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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IRFBF30PBF Descrizione generale

N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Safe and reliable operation
Low power consumption
Fault detection capabilities
Predictive maintenance enabled
Compliance with industry standards

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRFBF30

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Valutazioni e recensioni

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J**e 03/12/2024

Fast delivery. Arrived in 38 days. Thank you seller!

M**n 02/28/2024

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T**r 10/11/2023

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L**r 07/18/2023

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