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IRFP3703PBF +BOM

N-channel 30V MOSFET with a maximum current rating of 210A, packaged in TO-247AC, suitable for rail/tube applications

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IRFP3703PBF
Scheda dati:

IRFP3703PBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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IRFP3703PBF Descrizione generale

N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard through-hole power package
High current rating
Increased ruggedness
Wide availability from distribution partners
Industry standard qualification level
High performance in low frequency applications
Standard pinout allows for drop in replacement
High current carrying capability

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	HEXFET®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	209 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8250 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 230W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IRFP3703	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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