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IRLS4030TRLPBF +BOM

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRLS4030TRLPBF
Scheda dati:

IRLS4030TRLPBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

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IRLS4030TRLPBF Descrizione generale

With a drain-source voltage of 100V and a maximum continuous drain current of 180A, the IRLS4030TRLPBF MOSFET is capable of handling high power levels with ease. The low on-resistance of 0.0034ohm minimizes power losses and improves efficiency, making it an ideal choice for demanding applications that require high reliability and performance. The N-Channel polarity and high threshold voltage of 2.5V make this MOSFET versatile and well-suited for a wide range of industrial and automotive applications

Specifiche

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 110A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11360 pF @ 50 V	Power Dissipation (Max)	370W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IRLS4030

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