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IRLM220ATF +BOM

SOT-223 Power MOSFET with 200 V Voltage Rating, 1.13 A Current Rating, and 800 mΩ Resistance in N-Channel Configuration

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

IRLM220ATF
Scheda dati:

IRLM220ATF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.13A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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IRLM220ATF Descrizione generale

The IRLM220ATF is a top-of-the-line N-channel enhancement mode power field effect transistor that has been engineered using ON Semiconductor's state-of-the-art planar DMOS technology. This cutting-edge technology ensures minimal on-state resistance, exceptional switching performance, and impressive durability in the face of high-energy pulses in both avalanche and commutation modes. Whether you're working on high-efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply, or motor control applications, the IRLM220ATF is the ideal choice for professionals seeking reliable and high-performing power field effect transistors

Caratteristiche principali

Precision Current Limiting
Advanced Thermal Management
Ultra-High Frequency
Smart Power Management
Soft Turn-Off Characteristics
Rapid Recovery Time

Applicazione

A versatile choice for all

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 570mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	2W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IRLM220

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