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IRLL3303PBF +BOM

1 milliohms on-resistance and 34 nanocoulombs charge

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRLL3303PBF
Scheda dati:

IRLL3303PBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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IRLL3303PBF Descrizione generale

This power FET is designed with a metal-oxide semiconductor structure, ensuring high switching speeds and low gate drive requirements. Whether used in battery management systems, voltage regulation circuits, or motor control applications, the IRLL3303PBF delivers consistent and reliable performance

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.6A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 4.6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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