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IRLL014TRPBF +BOM

MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

IRLL014TRPBF
Scheda dati:

IRLL014TRPBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.7A (Tc)
EDA/CAD Modelli:

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IRLL014TRPBF Descrizione generale

N-Channel 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

Caratteristiche principali

Fast diode response time
Excellent EMI performance
Low thermal resistance
Safe and reliable parallel operation

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.1W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IRLL014

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