Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IRLI520NPBF +BOM

IRLI520NPBF, N-Channel Power MOSFET with 12V-300V rating

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRLI520NPBF
Scheda dati:

IRLI520NPBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IRLI520NPBF

IRLI520NPBF Descrizione generale

N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Caratteristiche principali

AVALANCHE RATED

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.1A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..