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IRLD120PBF +BOM

Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4

Produttore:

Vishay Siliconix
ProduttorePart #:

IRLD120PBF
Scheda dati:

IRLD120PBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.3A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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IRLD120PBF Descrizione generale

N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Caratteristiche principali

Silicon nitride passivation
Avalanche rated for inverter applications
Rapid recovery time
Low gate-source voltage drop

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IRLD120

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