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Rail-mountable TO-220 MOSFET, featuring N-channel design, capable of handling up to 100 volts and 5.6 amps
TO-220-3Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
IRL510A
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
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Moreover, the IRL510A is easy to interface with other electronic components, thanks to its gate threshold voltage of typically 2 volts. This makes it a breeze to connect to microcontrollers and logic circuits, expanding its usability in various projects. Its fast switching speed further enhances its functionality, making it a valuable asset in applications that require rapid switching of loads. The IRL510A is truly a versatile and high-performance transistor that is sure to meet the demands of your next electronics project
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 2.8A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IRL51 |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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