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Vedi Specifiche Tecniche

IRL3713PBF +BOM

Designed for demanding electronic applications

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRL3713PBF
Scheda dati:

IRL3713PBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelli:

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IRL3713PBF Descrizione generale

The IRL3713PBF is a versatile transistor that can be used in a wide range of applications, including power supplies, motor control, and battery management systems. Its robust construction and high current rating make it suitable for demanding industrial environments where reliable performance is essential. Whether used in consumer electronics or automotive systems, this transistor delivers consistent and efficient operation

Caratteristiche principali

AVALANCHE RATED

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	260A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 38A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5890 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	330W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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