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IRL2203NPBF +BOM

N-Channel Power MOSFET, rated at 116 Amperes, with a Drain-to-Source Voltage of 30 Volts and a nominal On-Resistance of 0

IRL2203NPBF Descrizione generale

The IRL2203NPBF MOSFET is a versatile and robust component that meets the demands of modern electronics design. Its low on-resistance, high current rating, and efficient thermal management make it a reliable choice for switching and amplification tasks. Whether used in high-power or low-power circuits, this MOSFET delivers consistent performance and longevity. The TO-220AB package allows for easy installation and ensures proper heat dissipation to maximize the transistor's lifespan

Caratteristiche principali

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 116A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V
FET Feature - Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole

Politiche di servizio e altro

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