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IRFR5305PBF +BOM
DPAK 3-Pin 55V 31A P-Channel MOSFET Infineon IRFR5305PBF
DPAK-3 (TO-252-3)-
Produttore:
Infineon
-
ProduttorePart #:
IRFR5305PBF
-
Scheda dati:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
SMD/SMT
-
Transistor Polarity:
P-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
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Disponibilità: 5361 PZ
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IRFR5305PBF Descrizione generale
The IRFR5305PBF is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for various applications that require efficient power management. With a current rating of 31A and a voltage rating of 55V, this P-Channel Silicon MOSFET offers low on-resistance of 0.065ohm, ensuring minimal power loss during operation
Caratteristiche principali
- Enhanced surge current handling
- High reliability rating
- Minimal distortion effect
Applicazione
- Wireless sensor networks
- IoT devices
- Home automation systems
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
Id - Continuous Drain Current | 28 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 42 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 89 W | Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single | Fall Time | 63 ns |
Height | 2.3 mm | Length | 6.5 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 66 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Type | HEXFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns | Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Width | 6.22 mm | Part # Aliases | SP001571570 |
Unit Weight | 0.011640 oz |
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