Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IRFR24N15DPBF +BOM

N-channel MOSFET rated for 150V with a HEXFET design, featuring a low resistance of 95mOhms and a charge of 30nC

Produttore:

International Rectifier
ProduttorePart #:

IRFR24N15DPBF
Scheda dati:

IRFR24N15DPBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

170 mJ
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IRFR24N15DPBF

IRFR24N15DPBF Descrizione generale

Infineon Technologies' IRFR24N15DPBF power MOSFET transistor emerges as a top-notch component with its high-performance specifications. Offering a reliable 150V drain-to-source voltage (Vds) and a significant 17.5A continuous drain current, this device ensures efficient power transfer with its low on-resistance of 0.14 ohms. The TO-252 package provides thermal stability and facilitates straightforward mounting on PCBs, enhancing usability across a range of applications

Specifiche

Source Content uid	IRFR24N15DPBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	170 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	24 A	Drain-source On Resistance-Max	0.095 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252AA
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	140 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	96 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..