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IRF9511 +BOM
3A Silicon P-Channel Power MOSFET, 80V, 1.2Ω, TO-220AB
TO-220AB-
Produttore:
Harris Corporation
-
ProduttorePart #:
IRF9511
-
Scheda dati:
-
Drain Source Voltage (Vdss):
80V
-
Continuous Drain Current (Id):
3A
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.2Ω@1.5A,10V
-
Power Dissipation (Pd):
20W
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 3948 PZ
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IRF9511 Descrizione generale
One of the standout features of the IRF9511 is its fast switching speed and low gate charge, making it an excellent choice for high frequency switching tasks. Additionally, its low input and output capacitance contribute to reducing switching losses and enhancing overall efficiency, making it a reliable and effective component for demanding applications
Caratteristiche principali
- Piezoelectric ceramic sensors
- Silicon-on-insulator (SOI) substrate
- Low inductance design for high-frequency applications
Applicazione
- Compact DC-DC converter
- Fast battery charger
- Advanced automotive system
Specifiche
Drain Source Voltage (Vdss) | 80V | Continuous Drain Current (Id) | 3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@1.5A,10V | Power Dissipation (Pd) | 20W |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | Type | P Channel |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 180pF@25V | Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 3.948
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