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IRF7807VD1 +BOM

3A 30V Surface Mount Transistor

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRF7807VD1
Scheda dati:

IRF7807VD1 Scheda dati (PDF)
Series:

FETKY™
Packaging:

Tube
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
EDA/CAD Modelli:

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IRF7807VD1 Descrizione generale

Due to its high current and voltage ratings, the IRF7807VD1 is ideal for use in power management, switching, and amplification circuits. Its compact size and versatile design make it suitable for a variety of small signal applications where space is limited

Specifiche

Series	FETKY™	Packaging	Tube
Part Status	Obsolete	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.3A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 7A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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