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IRF5852TRPBF +BOM

MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IRF5852TRPBF
Scheda dati:

IRF5852TRPBF Scheda dati (PDF)
Series:

HEXFET®
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
EDA/CAD Modelli:

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IRF5852TRPBF Descrizione generale

Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP

Specifiche

Series	HEXFET®	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.7A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Power - Max	960mW	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IRF58

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