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IRF3805PBF +BOM

IRF3805PBF: N-channel Si MOSFET with 55V, 210A rating

Produttore:

International Rectifier
ProduttorePart #:

IRF3805PBF
Scheda dati:

IRF3805PBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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IRF3805PBF Descrizione generale

Boasting a single-element design, the IRF3805PBF features advanced Metal-Oxide Semiconductor technology, enabling fast switching speeds and high efficiency. This Lead-Free, Plastic Package-3 variant complies with environmental regulations, offering a sustainable solution without compromising on performance. Whether used in power inverters, motor controls, or voltage regulators, this FET delivers consistent and dependable performance under challenging conditions

Caratteristiche principali

Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free

Specifiche

Source Content uid	IRF3805PBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	52 Weeks	Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	940 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	55 V
Drain Current-Max (ID)	75 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0033 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	300 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	890 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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