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IRF3717TRPBF +BOM

Infineon IRF3717TRPBF N-channel MOSFET

Produttore:

International Rectifier
ProduttorePart #:

IRF3717TRPBF
Scheda dati:

IRF3717TRPBF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

20A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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IRF3717TRPBF Descrizione generale

N-Channel 20 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2890 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	20 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.45 V	Qg - Gate Charge	33 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	2.5 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	6 ns
Forward Transconductance - Min	57 S	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	14 ns	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.019048 oz

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