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IRF2805PBF +BOM

The IRF2805PBF is a TO-220-3-packaged single N-Channel HEXFET® Power Mosfet, offering a robust voltage rating of 55V

Produttore:

International Rectifier
ProduttorePart #:

IRF2805PBF
Scheda dati:

IRF2805PBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

14 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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IRF2805PBF Descrizione generale

The IRF2805PBF is a single-element transistor that can be used in a wide range of circuit designs requiring high current handling and low switching losses. Its N-Channel configuration allows for easy integration into existing circuit layouts, while its Silicon construction ensures long-term reliability in demanding operating conditions

Caratteristiche principali

Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Specifiche

Source Content uid	IRF2805PBF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	14 Weeks	Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	1220 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	55 V
Drain Current-Max (ID)	75 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0047 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	330 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	700 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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