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IPW90R340C3 +BOM

Tube packaging for easy handling and storage

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW90R340C3
Scheda dati:

IPW90R340C3 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

900 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW90R340C3 Descrizione generale

N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Caratteristiche principali

Lowest figure-of-merit Ron x Qg
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1)
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Ultra low gate charge

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340mOhm @ 9.2A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	208W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW90R

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