Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IPSA70R2K0P7SAKMA1 +BOM

N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IPSA70R2K0P7SAKMA1
Scheda dati:

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™ P7
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

700 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IPSA70R2K0P7SAKMA1

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

IPSA70R2K0P7SAKMA1 Descrizione generale

N-Channel 700 V 3A (Tc) 17.6W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-347

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Extremely low FOM R
DS(on)
x E
oss
g
on
off
Highly performant technology
Low switching losses (E
oss
Highly efficient
Excellent thermal behavior
Allowing high speed switching
Integrated protection Zener diode
Optimized V
Finely graduated portfolio
Low switching losses (E
oss
Highly efficient
Excellent thermal behavior
Cost competitive technology
Up to 2.4% efficiency gain and 12K lower device temperature compared to C6 technology
Further efficiency gain at higher switching speed
Supporting less magnetic size with lower BOM costs
High ESD ruggedness up to HBM Class 2 level
Easy to drive and design-in
Enabler for smaller form factors and high power density designs
Excellent choice in selecting the best fitting product

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Aux power

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	CoolMOS™ P7
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	700 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 30µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8 nC @ 400 V
Vgs (Max)	±16V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130 pF @ 400 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	17.6W (Tc)
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPSA70	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..