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Vedi Specifiche Tecniche

IPW65R070C6 +BOM

650V N Channel MOSFET with 70mΩ resistance

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW65R070C6
Scheda dati:

IPW65R070C6 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R070C6 Descrizione generale

N-Channel 650 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Caratteristiche principali

Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1)
Pb-free plating, Halogen free mold compound

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53.5A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 17.6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.76mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	391W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW65R070

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