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IPW65R045C7FKSA1 +BOM

MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW65R045C7FKSA1
Scheda dati:

IPW65R045C7FKSA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™ C7
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW65R045C7FKSA1 Descrizione generale

Engineers and technicians can rely on the IPW65R045C7FKSA1 for a wide range of applications, thanks to its versatile design and high-performance characteristics. With its superior thermal and electrical properties, this transistor can withstand demanding operating conditions and deliver consistent results. The TO-247 package ensures compatibility with standard mounting techniques, making it easy to integrate into existing systems

Caratteristiche principali

Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Better efficiency due to best inclass FOM RDS(on)Eoss and RDS(on)Qg
Best in class RDS(on)/package
Easy to use/drive
Pb-free plating, halogen free mold compound
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20
and JESD22)

Specifiche

Series	CoolMOS™ C7	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 24.9A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.25mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4340 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	227W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW65R045

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