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Vedi Specifiche Tecniche

IPW60R190P6 +BOM

IPW60R190P6 Transistor for Power Applications

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW60R190P6
Scheda dati:

IPW60R190P6 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™ P6
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW60R190P6 Descrizione generale

N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Caratteristiche principali

Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20
and JESD22)

Applicazione

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages
for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDPTV, Lighting, Server, Telecom
and UPS.

Specifiche

Series	CoolMOS™ P6	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1750 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	151W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R190

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