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IPW60R190C6FKSA1 +BOM

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW60R190C6FKSA1
Scheda dati:

IPW60R190C6FKSA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW60R190C6FKSA1 Descrizione generale

The IPW60R190C6FKSA1 is constructed with high-quality Silicon material and utilizes Metal-oxide semiconductor technology to deliver superior performance and reliability. The green plastic package not only offers environmental benefits but also provides easy identification and handling during assembly

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.2A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 9.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	151W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R190

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