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IPW60R099P7XKSA1 +BOM

N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW60R099P7XKSA1
Scheda dati:

IPW60R099P7XKSA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™ P7
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW60R099P7XKSA1 Descrizione generale

When it comes to electrical characteristics, this MOSFET boasts a gate threshold voltage range of 2.0V to 4.0V and a gate charge of 85nC, making it versatile for a variety of applications. Additionally, its fast switching speed and low gate charge make it ideal for high-frequency switching scenarios, where responsiveness and efficiency are crucial. Trust the IPW60R099P7XKSA1 for your power needs and experience the superior performance Infineon is known for

Caratteristiche principali

Ruggedized metal package design
Low leakage current and high surge capability
Compact footprint for space-sensitive applications

Applicazione

Reliable AC-DC inverter
Precision motor control
Advanced power solution

Specifiche

Series	CoolMOS™ P7	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 530µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1952 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	117W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R099

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