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IPW60R080P7XKSA1 +BOM

3-pin (3+tab) high power MOSFET with 600V rating

IPW60R080P7XKSA1 Descrizione generale

The IPW60R080P7XKSA1 power MOSFET by Infineon Technologies is a cutting-edge solution for high-efficiency power management in a variety of applications. With a VDS rating of 800V, this MOSFET is well-suited for tasks that demand high voltage switching capabilities and reliable isolation. Its low RDS(on) of 0.08 Ohms enables reduced power losses and enhanced efficiency in power conversion setups

Specifiche

Series CoolMOS™ P7 FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 11.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 590µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 400 V Power Dissipation (Max) 129W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number IPW60R080

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