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IPW60R070P6 +BOM

The IPW60R070P6 MOSFET is engineered to offer robust performance

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW60R070P6
Scheda dati:

IPW60R070P6 Scheda dati (PDF)
VDS Max:

600.0 V
Ptot Max:

391.0 W
IDpuls Max:

156.0 A
RthJC Max:

0.32 K/W
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IPW60R070P6

Caratteristiche principali

Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤70mΩ
Enhancement mode:
100% avalanche tested
Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation

Specifiche

VDS max	600.0 V	Ptot max	391.0 W
IDpuls max	156.0 A	RthJC max	0.32 K/W
RthJA max	62.0 K/W	Polarity	N
Mounting	THT	ID max	53.5 A
RDS (on) max	70.0 mΩ	Special Features	price/performance
VGS(th) max	4.5 V	VGS(th) min	3.5 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..