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IPW60R017C7XKSA1 +BOM

High-power N-channel MOSFET transistor rated at 600V and 109A

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW60R017C7XKSA1
Scheda dati:

IPW60R017C7XKSA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

600 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW60R017C7XKSA1 Descrizione generale

The IPW60R017C7XKSA1 power transistor from Infineon Technologies is a top choice for demanding applications that require high power density and efficiency. With a maximum drain-source voltage of 650V and a continuous drain current of 42A, this N-channel enhancement mode transistor is ideal for motor drives, solar power inverters, and uninterruptible power supplies. Its low on-resistance of 0.17 ohms ensures minimal power losses and improved efficiency, while its low gate charge and fast switching speed make it a great fit for high-frequency applications

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	109A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 58.2A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.91mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9890 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	446W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW60R017

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