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IPW50R199CP +BOM

139W power dissipation at 3.5V, 660uA

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW50R199CP
Scheda dati:

IPW50R199CP Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

550 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW50R199CP Descrizione generale

The IPW50R199CP power MOSFET transistor is a powerhouse when it comes to high power switching applications. With a breakdown voltage of 500V and a continuous drain current rating of 50A, this transistor is ready to handle the toughest of tasks. Its low on-resistance of 199 mΩ ensures minimal power loss and maximum efficiency in switching circuits. Whether you're working on motor control, power inverters, or other high current applications, the IPW50R199CP has the capability to get the job done

Caratteristiche principali

Lowest figure of merit RON x Qg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Quailfied for industrial grade applications according to JEDEC1)
CoolMOS CP is designed for:
Hard & soft switching SMPS topologies
CCM PFC for ATX, Notebookadapter & PDP and LCD TV
PWM for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	199mOhm @ 9.9A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 660µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	139W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW50R

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