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500V 24.8A N-Channel MOSFET
TO-247-3Produttore:
Infineon Technologies
ProduttorePart #:
IPW50R190CE
Scheda dati:
Series:
CoolMOS™
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
500 V
EDA/CAD Modelli:
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N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Series | CoolMOS™ | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.2A, 13V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1137 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | IPW50R |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,966 | $0,97 |
200+ | $0,374 | $74,80 |
500+ | $0,362 | $181,00 |
1000+ | $0,355 | $355,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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