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Vedi Specifiche Tecniche

IPW50R140CP +BOM

N-Channel MOSFET Transistor IPW50R140CP

Produttore:

Infineon Technologies
ProduttorePart #:

IPW50R140CP
Scheda dati:

IPW50R140CP Scheda dati (PDF)
Series:

CoolMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

550 V
EDA/CAD Modelli:

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IPW50R140CP Descrizione generale

The IPW50R140CP is a high-performance Power Field-Effect Transistor designed for applications requiring a current rating of 23A and a voltage rating of 500V. This N-Channel MOSFET has a low on-state resistance of 0.14ohm, making it suitable for power switching and conversion applications

Caratteristiche principali

Worldwide best RDS,on in TO220
Lowest figure of merit RON x Qg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Quailfied for industrial grade applications according to JEDEC1)

Specifiche

Series	CoolMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 14A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 930µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2540 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	192W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IPW50R140

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