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IPTG014N10NM5ATMA1 +BOM
Transistor MOSFET Suitable for High-Performance Circuits
8-PowerSMD,GullWing-
Produttore:
Infineon Technologies
-
ProduttorePart #:
IPTG014N10NM5ATMA1
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Scheda dati:
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Series:
OptiMOS™ 5
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 8084 PZ
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IPTG014N10NM5ATMA1 Descrizione generale
N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Specifiche
Series | OptiMOS™ 5 | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 366A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 150A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 50 V | Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IPTG014N |
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