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IMX9T110 +BOM
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SMT6, SC-74, 6 PIN
SC-74,SOT-457-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IMX9T110
-
Scheda dati:
-
Transistor Type:
2 NPN (Dual)
-
Current - Collector (Ic) (Max):
500mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
20V
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
400mV @ 20mA, 500mA
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 7023 PZ
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IMX9T110 Descrizione generale
Featuring a dual configuration, the IMX9T110 transistor is an NPN-NPN type with a Collector Emitter Voltage V(br)ceo of 20V and a Transition Frequency Typ ft of 350MHz. With a Power Dissipation Pd rating of 300mW and a DC Collector Current of 500mA, this transistor delivers efficient performance. The DC Current Gain hFE is 560, and it is housed in a compact SOT-457 case style with 6 pins for easy installation. IMX9T110 is also compliant with environmental regulations, containing no SVHC, and boasts a Gain Bandwidth ft Typ of 350MHz
Caratteristiche principali
- 1) Two 2SD2114K chips in a SMT package.
- 2) Mounting possible with SMT3 automatic mounting machine.
- 3) Transistor elements are independent, eliminating interference.
- 4) Mounting cost and area can be cut in half.
Specifiche
Transistor Type | 2 NPN (Dual) | Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 560 @ 10mA, 3V |
Power - Max | 300mW | Frequency - Transition | 350MHz |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IMX9 |
Politiche di servizio e altro
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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In Stock: 7.023
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
5+ | $0,055 | $0,28 |
50+ | $0,050 | $2,50 |
150+ | $0,047 | $7,05 |
500+ | $0,044 | $22,00 |
3000+ | $0,042 | $126,00 |
6000+ | $0,041 | $246,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.