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IMBG120R350M1HXTMA1 +BOM
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SMD-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IMBG120R350M1HXTMA1
-
Scheda dati:
-
Series:
CoolSiC™
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
1200 V
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EDA/CAD Modelli:
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IMBG120R350M1HXTMA1 Descrizione generale
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Caratteristiche principali
- Very low switching losses
- Short-circuit withstand time, 3 μs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage,>
- Robustness against parasitic turn-on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distances, > 6.1 mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement
- Enabling higher frequency
- Increased power density
- Cooling effort reduction
- Reduction of system complexity and cost
- SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
Applicazione
- Fast EV charging
- Industrial motor drivesand controls
- Solutions for photovoltaic energy systems
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Specifiche
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Series | CoolSiC™ |
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 468mOhm @ 2A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +18V, -15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 800 V | FET Feature | Standard |
Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | IMBG120 |
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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IMBG120R350M1HXTMA1 Scheda dati PDF
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