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IMH11AT110 +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

IMH11AT110
Scheda dati:

IMH11AT110 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Resistor - Base (R1):

10kOhms
EDA/CAD Modelli:

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IMH11AT110 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased	Series	-
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Resistor - Base (R1)	10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz	Power - Max	300mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IMH11

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