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Vedi Specifiche Tecniche

IMX1T110 +BOM

IMX1T110 is a 6-pin surface mount transistor with NPN bipolar junction technology

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

IMX1T110
Scheda dati:

IMX1T110 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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IMX1T110 Descrizione generale

With its advanced design and superior performance capabilities, the IMX1T110 is a top choice for engineers looking to enhance the functionality of their electronic devices. Its dual transistor setup allows for increased flexibility in circuit design, making it a versatile option for a variety of applications. From audio amplification to signal processing, this transistor is sure to deliver the high-quality performance you need for your projects

Caratteristiche principali

1) Two 2SC2412K chips in a EMT or UMT or SMT package.

2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines.

3) Transistor elements are independent, eliminating interference.

4) Mounting cost and area can be cut in half.

Applicazione

AMPLIFIER

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Collector Current-Max (IC)	0.15 A	Collector-Emitter Voltage-Max	50 V
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS	DC Current Gain-Min (hFE)	120
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	JESD-609 Code	e1
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	180 MHz
VCEsat-Max	0.4 V

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