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IMBG120R060M1HXTMA1 +BOM

MOSFET SIC DISCRETE

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IMBG120R060M1HXTMA1
Scheda dati:

IMBG120R060M1HXTMA1 Scheda dati (PDF)
Series:

CoolSiC™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

1200 V
EDA/CAD Modelli:

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IMBG120R060M1HXTMA1 Descrizione generale

N-Channel 1200 V 36A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Benchmark gate threshold voltage,>
Robustness against parasitic turn-on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
Robust body diode for hard commutation
Package creepage and clearance distances, > 6.1 mm
Sense pin for optimized switching performance
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Cooling effort reduction
Reduction of system complexity and cost
SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

Fast EV charging
Industrial motor drivesand controls
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	CoolSiC™
FET Type	N-Channel	Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	83mOhm @ 13A, 18V	Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 5.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 18 V	Vgs (Max)	+18V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1145 pF @ 800 V	FET Feature	Standard
Power Dissipation (Max)	181W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IMBG120
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

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