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IMX25T110 +BOM

General purpose bipolar junction transistor

IMX25T110 Descrizione generale

With the IMX25T110, users can enjoy the benefits of having two transistors in a single package, allowing for streamlined circuit designs and improved performance. Whether you're working on a pre-amplifier circuit or a high-frequency oscillator, this device offers the flexibility and efficiency needed to achieve optimal results. Additionally, its compact form factor makes it ideal for applications that require compact and efficient solutions, such as driver ICs

Rohm Semiconductor inventario

Caratteristiche principali

  • 1) Suitable for Power Driver.
  • 2) Complementary NPN Types : 2SCR582D3.
  • 3) Low VCE(sat)
  • VCE(sat)=-400mV(Max.).(IC/IB=-4A/-200mA)

Specifiche

Transistor Type 2 NPN (Dual) Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 4ma, 2V
Power - Max 300mW Frequency - Transition 35MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number IMX25

Politiche di servizio e altro

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