Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
High-performance power mosfet for demanding application
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
IMW65R083M1HXKSA1
Scheda dati:
Technology:
SiC
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su IMW65R083M1HXKSA1. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
N-Channel 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Id - Continuous Drain Current | 24 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 111 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 23 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.7 V |
Qg - Gate Charge | 19 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 104 W |
Channel Mode | Enhancement | Product Type | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | MOSFETs |
Part # Aliases | IMW65R083M1H SP005423802 |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.